Preview

Plasticheskie massy

Advanced search

Development of elastic polishing materials for the process of chemical-mechanical planarization

https://doi.org/10.35164/0554-2901-2023-3-4-44-48

Abstract

The paper presents the results of the development of conditions for the production of elastic polishing materials based on solutions of polyethyruretanes, for the chemical-mechanical planarization of semiconductor silicon wafers.

About the Authors

D. I. Terashkevich
A.N. Kosygin Moscow State University of Design and Technology
Russian Federation

Moscow



E. S. Bokova
A.N. Kosygin Moscow State University of Design and Technology
Russian Federation

Moscow



G. M. Kovalenko
A.N. Kosygin Moscow State University of Design and Technology
Russian Federation

Moscow



References

1. Zantye P.B., Kumar A., Sikder A.K. Chemical mechanical planarization for microelectronic applications // Mater. Sci. Eng. Rep. 45, 89, FL, USA (2004).

2. Shin Hwa Li, Robert O. Miller, Chemical Mechanical Polishing in Silicon Processing, Volume 63 Semiconductors and Semimetals Vol 63, Academic Press / Lee M. Cook, Consumables 11: Pad, pp. 155–157 (307), San Diego, CA 92101-4495, USA (2000).

3. A. Prasad, G. Fotou, and S. Li: The eff ect of polymer hardness, pore size, and porosity on the performance of thermoplastic polyurethane-based chemical mechanical polishing pads. Cabot Microelectronics Corporation (2013).

4. Гольдштейн Р.В. Химико-механическое полирование. Модели процесса / Р.В. Гольдштейн, Н.М. Осипенко. – М.: Институт проблем механики Российской акад. наук, 2009. – 40 С.

5. Oliver M R. Chemical-Mechanical Planarization of Semiconductor Materials. Berlin (Germany): Springer Series in Materials Science (SSMATERIALS, Vol. 69), 2004. – 428 Р.

6. Palla B J, Shah D O. Correlation of observed stability and polishing performance to abrasive particle size for CMP. In Proceedings of the IEEE/CPMT International Electronics Manufacturing Technology (IEMT) Symposium. 1999. – рр. 362−369.

7. Zhao B, Shi F G. Chemical mechanical polishing: Threshold pressure and mechanism. Electrochem Solid-State Lett.1999.– Vol. 2, №3. – рр.145−147.

8. Терашкевич Д.И., Бокова Е.С., Гинзбург А.С., Коваленко Г.М. Анализ микроструктуры полировальных материалов на основе полиуретанов Пластические массы, №1–2, 2021. С. 3–6. DOI: 10.35164/0554-2901-2021-1-2-3-6.

9. Бокова Е.С., Терашкевич Д.И., Коваленко Г.М., Евсюкова Н.В. Применение композиционных полимерных материалов в процессе химико-механической полировки диэлектрических слоев интегральных схем. Известия Вузов Технология текстильной промышленности. №6, 2021. С 286-292. DOI: 10.47367/0021-3497-2021-6-286.

10. Бокова Е.С., Терашкевич Д.И., Коваленко Г.М., Гинзбург А.С. Полировальные материалы на основе полиэфируретанов для процесса химико-механической полировки диэлектрических слоев интегральных схем. Материаловедение, №1, 2022. С 24–33. DOI: 10.31044/1684-579X-2022-0-1-24-33.


Review

For citations:


Terashkevich D.I., Bokova E.S., Kovalenko G.M. Development of elastic polishing materials for the process of chemical-mechanical planarization. Plasticheskie massy. 2023;(3-4):44-48. (In Russ.) https://doi.org/10.35164/0554-2901-2023-3-4-44-48

Views: 210


Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 0554-2901 (Print)