plasticnewsПластические массыPlasticheskie massy0554-2901PLASTMASSY Publishing House (Moscow)10.35164/0554-2901-2023-3-4-44-48plasticnews-861Research ArticleПРИМЕНЕНИЕAPPLICATIONРазработка эластичных полировальных материалов для процесса химико-механической планаризацииDevelopment of elastic polishing materials for the process of chemical-mechanical planarizationТерашкевичД. И.TerashkevichD. I.

г. Москва

Moscow

terahkevih-di@rguk.ruБоковаЕ. С.BokovaE. S.

г. Москва

Moscow

КоваленкоГ. М.KovalenkoG. M.

г. Москва

Moscow

Российский Государственный университет им. А.Н. КосыгинаРоссияA.N. Kosygin Moscow State University of Design and TechnologyRussian Federation20232305202303-44448Copyright © Терашкевич Д.И., Бокова Е.С., Коваленко Г.М., 20232023Терашкевич Д.И., Бокова Е.С., Коваленко Г.М.Terashkevich D.I., Bokova E.S., Kovalenko G.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.plastics-news.ru/jour/article/view/861

В работе приведены результаты разработки условий получения эластичных полировальных материалов на основе растворов полиэфируретанов для химико-механической планаризации полупроводниковых кремниевых пластин.

The paper presents the results of the development of conditions for the production of elastic polishing materials based on solutions of polyethyruretanes, for the chemical-mechanical planarization of semiconductor silicon wafers.

химико-механическая планаризацияполировальные материалыполируемые пластиныполиуретаныпористая структураструктурообразованиеchemical-mechanical planarizationpolishing materialspolished platespolyurethanesporous structurestructure formationReferencesZantye P.B., Kumar A., Sikder A.K. Chemical mechanical planarization for microelectronic applications // Mater. Sci. Eng. Rep. 45, 89, FL, USA (2004).Zantye P.B., Kumar A., Sikder A.K. Chemical mechanical planarization for microelectronic applications // Mater. Sci. Eng. Rep. 45, 89, FL, USA (2004).Shin Hwa Li, Robert O. Miller, Chemical Mechanical Polishing in Silicon Processing, Volume 63 Semiconductors and Semimetals Vol 63, Academic Press / Lee M. Cook, Consumables 11: Pad, pp. 155–157 (307), San Diego, CA 92101-4495, USA (2000).Shin Hwa Li, Robert O. Miller, Chemical Mechanical Polishing in Silicon Processing, Volume 63 Semiconductors and Semimetals Vol 63, Academic Press / Lee M. Cook, Consumables 11: Pad, pp. 155–157 (307), San Diego, CA 92101-4495, USA (2000).A. Prasad, G. Fotou, and S. Li: The eff ect of polymer hardness, pore size, and porosity on the performance of thermoplastic polyurethane-based chemical mechanical polishing pads. Cabot Microelectronics Corporation (2013).A. Prasad, G. Fotou, and S. Li: The eff ect of polymer hardness, pore size, and porosity on the performance of thermoplastic polyurethane-based chemical mechanical polishing pads. Cabot Microelectronics Corporation (2013).Гольдштейн Р.В. Химико-механическое полирование. Модели процесса / Р.В. Гольдштейн, Н.М. Осипенко. – М.: Институт проблем механики Российской акад. наук, 2009. – 40 С.Гольдштейн Р.В. Химико-механическое полирование. Модели процесса / Р.В. Гольдштейн, Н.М. Осипенко. – М.: Институт проблем механики Российской акад. наук, 2009. – 40 С.Oliver M R. Chemical-Mechanical Planarization of Semiconductor Materials. Berlin (Germany): Springer Series in Materials Science (SSMATERIALS, Vol. 69), 2004. – 428 Р.Oliver M R. Chemical-Mechanical Planarization of Semiconductor Materials. Berlin (Germany): Springer Series in Materials Science (SSMATERIALS, Vol. 69), 2004. – 428 Р.Palla B J, Shah D O. Correlation of observed stability and polishing performance to abrasive particle size for CMP. In Proceedings of the IEEE/CPMT International Electronics Manufacturing Technology (IEMT) Symposium. 1999. – рр. 362−369.Palla B J, Shah D O. Correlation of observed stability and polishing performance to abrasive particle size for CMP. In Proceedings of the IEEE/CPMT International Electronics Manufacturing Technology (IEMT) Symposium. 1999. – рр. 362−369.Zhao B, Shi F G. Chemical mechanical polishing: Threshold pressure and mechanism. Electrochem Solid-State Lett.1999.– Vol. 2, №3. – рр.145−147.Zhao B, Shi F G. Chemical mechanical polishing: Threshold pressure and mechanism. Electrochem Solid-State Lett.1999.– Vol. 2, №3. – рр.145−147.Терашкевич Д.И., Бокова Е.С., Гинзбург А.С., Коваленко Г.М. Анализ микроструктуры полировальных материалов на основе полиуретанов Пластические массы, №1–2, 2021. С. 3–6. DOI: 10.35164/0554-2901-2021-1-2-3-6.Терашкевич Д.И., Бокова Е.С., Гинзбург А.С., Коваленко Г.М. Анализ микроструктуры полировальных материалов на основе полиуретанов Пластические массы, №1–2, 2021. С. 3–6. DOI: 10.35164/0554-2901-2021-1-2-3-6.Бокова Е.С., Терашкевич Д.И., Коваленко Г.М., Евсюкова Н.В. Применение композиционных полимерных материалов в процессе химико-механической полировки диэлектрических слоев интегральных схем. Известия Вузов Технология текстильной промышленности. №6, 2021. С 286-292. DOI: 10.47367/0021-3497-2021-6-286.Бокова Е.С., Терашкевич Д.И., Коваленко Г.М., Евсюкова Н.В. Применение композиционных полимерных материалов в процессе химико-механической полировки диэлектрических слоев интегральных схем. Известия Вузов Технология текстильной промышленности. №6, 2021. С 286-292. DOI: 10.47367/0021-3497-2021-6-286.Бокова Е.С., Терашкевич Д.И., Коваленко Г.М., Гинзбург А.С. Полировальные материалы на основе полиэфируретанов для процесса химико-механической полировки диэлектрических слоев интегральных схем. Материаловедение, №1, 2022. С 24–33. DOI: 10.31044/1684-579X-2022-0-1-24-33.Бокова Е.С., Терашкевич Д.И., Коваленко Г.М., Гинзбург А.С. Полировальные материалы на основе полиэфируретанов для процесса химико-механической полировки диэлектрических слоев интегральных схем. Материаловедение, №1, 2022. С 24–33. DOI: 10.31044/1684-579X-2022-0-1-24-33.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.